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MJF122G中文资料

MJF122G图片

MJF122G外观图

  • 大小:149.8KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: BIPOLAR TRANSISTOR; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:2000; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:2V; Current Ic Continuous a Max:5A; Hfe Min:1; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:30W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power Bipolar
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):3.5V @ 20mA,5A
  • 电流 - 集电极截止(最大):10µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):2000 @ 3A,3V
  • 功率 - 最大:2W
  • 频率 - 转换:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装:TO-220FP
  • 包装:管件
  • 其它名称:MJF122GOS

MJF122G供应商

更新时间:2023-01-11 13:46:47
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